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聚焦离子束FIB淀积Pt薄膜技术研究.pdf
复旦大学硕士学位论文聚焦离子束（FIB）淀积Pt薄膜技术研究姓名：刘立建申请学位级别：硕士专业：材料物理与化学指导教师：王家楫2001.5.29复旦大学学位论文论文题目：聚焦离子束（ＦＩＢ）淀积Ｐｔ薄
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氮化镓有机化合物气相淀积(GaN MOCVD)设备控制系统研究.pdf
国防科学技术大学硕士学位论文氮化镓有机化合物气相淀积（GaNMOCVD）设备控制系统研究姓名：胡晓宇申请学位级别：硕士专业：控制工程指导教师：李杰;魏唯20090301国防科学技术大学研究生院工程硕士
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第十二章 淀积.ppt
电信学院微电子教研室半导体制造技术byMichael Quirk JulianSerda电信学院微电子教研室半导体制造技术by Michael Quirk JulianSerda薄膜淀积是芯片加工过程
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物理气相淀积.ppt
2009-10-182物理气相淀积利用某种物理过程，例如蒸发或溅射，实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底硅表面上，并淀积成薄膜。两种基本的物理气相淀积技术：真空蒸发在真空条件下，加热蒸发源，使原
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二氧化硅薄膜的淀积.pdf
按掺杂划分：本征SiO2（USG）、PSG、BPSG薄膜；按温度划分：低温工艺（200~500 ）和中温工艺（500~750 按淀积方法划分：APCVD-SiO2、LPCVD-SiO2、PECVD-S
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第六章 薄膜淀积.ppt
第六章薄膜淀积概述：薄膜淀积是芯片加工过程中一个至关重要的工艺步骤，通过淀积工艺可以在硅片上生长导各种导电薄膜层和绝缘薄膜层。CMOS晶体管的各层膜p+silicon substratep-epi l
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第十三章_金属淀积.doc
第十三章_金属淀积第十三章_金属淀积第十三章_金属淀积
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微电子工艺基础金属淀积.ppt
金属淀积工艺金属淀积工艺一、基本概念 一、基本概念1、金属薄膜的用途（1）在微电子器件与电路中金属薄膜最重要的用途是作为内电极（MOS栅极和电容器极板）和各元件之间的电连接。（参阅教材P273下面）（
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CVD技术与介质膜淀积.ppt
CVDCVD•••CVD••CVD••APCVD•••LPCVD•••••••(Plasma-EnhancedChemical Vapor Deposition)••••PECVD•••SiO2•••
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【二氧化硅】LPCVD淀积LTO工艺研究.pdf
1期20 10 CHENGDIANL TONGX UN Voi ．28 o．1Mar．20 10 LPCVD 中国兵器工业第214研究所 蚌埠233042) 摘要集成电路集成度的提高，特别是等 离子刻
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