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低压化学气相淀积系统.doc
（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）实用新型专利 （10）申请公布号 CN201321490Y （43）申请公布日 2009.10.07 （21）申请号 CN200820156889.2 （2
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通过化学汽相淀积使氮化硅膜和/或氧氮化硅膜淀积的方法.doc
（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利申请 （10）申请公布号 CN101466865A （43）申请公布日 2009.06.24 （21）申请号 CN200680054461.0 （2
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低压化学气相淀积中反应舟两端硅片面内均一性的改善.pdf
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9802241低压化学气相淀积设备.doc
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01.20N0.^199d 一0B (华东痘互,联磊工程研究所,上海20o237)提要!冷壁化学气相淀积(CVD)反应器中淀积TiN 涂层为对象,建立了 I)适用于强自然对漉流体的CVD 反应器模型.
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【SJ电子标准大全】SJT 10311-1992 低压化学气相淀积设备通用技术条件.pdf
.freebz.net)无需注册 即可下载免费标准网(w .freebz.net)无需注册 即可下载免费标准网(w .freebz.net)无需注册 即可下载免费标准网(w .freebz.net)无
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低压化学气相淀积设备通用技术条件.doc
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