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GaN基LED
GaN基LED
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GAN点缺陷漏电黄带发光SIMS硕士论文.pdf
GAN点缺陷漏电黄带发光SIMS硕士论文GaN 材料作为一种第三代半导体材料，具有宽禁带、高电子饱和漂移速度和
高击穿场强等优点，目前被广泛用于研制各种光电器件和高温、高频微波大功率
器件。器件级的 GaN材料大多数都是在异质衬底上用 MOCVD的方法外延得到的
由于衬底和 GaN 外延层之间存在较大的晶格失配和热失配，以及材料的生长方式
导致 GaN 外延层中存在很多的缺陷，这些缺陷主要包括高密度的位错和各种点缺
陷。高密度的缺陷会影响器件工作的方方面面，因此探究不同种类的缺陷对材料
和器件产生的不同影响，以及如何获得低缺陷密度的 GaN 材料是本领域的研究重
点。GaN 材料作为一种新型的半导体材料，人们对材料特性的研究仍然不够充分
与 GaN 材料相关的很多物理机理需要得到进一步的研究。
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GaN材料的极化特性研究.pdf
日期丝ｆ２１』！宰西安电子科技大学关于论文使用授权的说明本人完全了解西安电子科技大学有关保留和使用学位论文的规定，即：研究生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属西安电子科技大学。学校有权保留送交论
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宽带GaN HEMT射频功率放大器研究.pdf
宽带GaNHEMT 射频功率放大器研究 完成日期2012 年11 杭州电子科技大学硕士学位论文宽带GaN HMET 射频功率放大器研究 教授2012 年11 DissertationSubmitted
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GAN相关的刻蚀工艺及其效果的研究.pdf
华南师范大学硕士学位论文GaN相关的刻蚀工艺及其效果的研究姓名：姚光锐申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：范广涵20090501知识水坝论文华南师范大学硕士学位论文摘要ＧａＮ相关的刻
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ICAO doc 9157_Aerodrome Design Manual_Part 2 - Taxiways, Aprons and Holding Bays_en_110228_gan.pdf
InternationalCivil Aviation OrganizationApproved SecretaryGeneraland published under his authorityAe
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GaN基发光管材料的MOCVD生长研究.pdf
北京工业大学博士学位论文GaN基发光管材料的MOCVD生长研究姓名：牛南辉申请学位级别：博士专业：微电子学与固体电子学指导教师：沈光地20061001摘要摘要本文主要研究了ＧａＮ基ＬＥＤ的ＭＯＣＶＤ材
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GaN基新型结构HEMT器件的研究.pdf
ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ硕士学位论文 导教师： 位类别： 科专业 养单位 学培ＩＩｌｌｌＩｌｌｌｌｌｌｌ Ｉｌｌｌｌｌｌ １１１ Ｙ２４３１ ６５５ Ｂｙ ＷａｎｇＹｕｅ ＡＤｉ
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GaN磊晶成長_论文-通讯论文.ppt
E1896NCTUSL Group NCTU Semiconductor Laser Group P-1(1) (1)Institute ElectroInstitute Electro--optic
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InGaN GaN超晶格電流分散之InGaN GaN多重量子井藍光發光二極體的研製.pdf
InGaN/GaN超晶格電流分散層之InGaN/GaN多重量子井藍光發光二極體的研製 Investigation InGaN/GaNmultiple-quantum- well blue light
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苏州能讯高能半导体有限公司 年产基于 GaN 工艺的功率放大器.pdf
苏州能讯高能半导体有限公司年产基于 GaN 工艺的功率放大器 芯片 6000 片新建项目 苏州能讯高能半导体有限公司编制日期：2015 苏州能讯高能半导体有限公司年产基于GaN 工艺的功率放大器芯片
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