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nbsp Xie Meng xian nbsp 电子科大,成都市 nbsp 双极型晶体管(BJT)在放大、振荡、开关等应用中,都需要避免因电压过高而发生击穿的现象。然而,在一定的条件下,BJT的雪崩击穿状态也具有很好的应用价值。 (1)晶体管的雪崩击穿特性: 共发射极晶体管在基极处于不同情况下发生雪崩击穿时,一般都将出现负阻特性,如图1所示(图中的BVSUS是基极开路时的导通维持电压,BVCE0、BVCER、BVCES、BVCEX分别是基极开路、基极外接电阻、基极短路、基极外接偏压时的雪崩击穿电压——不同情况时的正向阻断电压)。这种负阻击穿特性的
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雪崩击穿原理.doc
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半导体中的雪崩倍增效应原理在强电场下,半导体中的载流子会被电场加热,部分载流子可以获得足够高的能量,这些载流子有可能通过碰撞把能量传递给价带上的电子,使之发生电离,从而产生电子-空穴对,这种过程称为碰

向豆丁求助:有没有雪崩破坏?

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