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部分耗尽型.pdf
OlCMOS 模拟电路设计研究 电子研究发展 中心 ，北京 100083 ：介绍了部分耗尽 SOlMOS 器件浮体状态下 应及对模拟电路 的影响 。阐述 触方式及其他消除部 分耗尽 SOIMOS 器件
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增强型与耗尽型集成vdmos设计.pdf
增强型与耗尽型集成vdmos设计,增强型 耗尽型,vdmos,vdmos工艺,td 8620增强型,增强型循环,vmos vdmos,td w89841n增强型,td w89741n增强型,增强型mos
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增强型与耗尽型集成VDMOS设计.pdf
东南大学硕士学位论文增强型与耗尽型集成VDMOS设计姓名：杨帆申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：陆生礼20090601摘要摘要近年来，功率集成电路得到了突飞猛进的发展，集成度越来越
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N沟道耗尽型硅栅MOSFET的设计.doc
硅栅MOSFET的设计 一、MOSFET 的基本结构和工作原理 1. 基本结构 沟道MOSFET 型半导体上制作两个N区，一个称源区，另一个称漏区。园、漏区之间是沟道区，源、漏直接按的横向距离就是沟道
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资源耗尽型DoS攻击态势评估技术研究论文.pdf
公开中图分类号： TP393 学科分类号： 830.4030 解放军信息工程大学 硕士学位论文 资源耗尽型DoS 攻击态势评估技术研究 指导教师姓名：张红旗 教授 网络与信息安全论文提交日期： 201
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耗尽型MOS管(N沟道)项目可行性研究报告(立项申请报告).docx
泓域咨询MACRO/耗尽型MOS 沟道)项目可行性研究报告目录 第一章 项目概况 第二章 投资单位说明 第三章 项目背景及必要性 第四章 市场调研预测 第五章 项目建设规模 第六章 项目建设地方案 第
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耗尽型MOS管(P沟道)项目可行性研究报告(立项申请报告).docx
泓域咨询MACRO/耗尽型MOS 沟道)项目可行性研究报告目录 第一章 项目概述 第二章 项目建设单位基本情况 第三章 项目建设背景分析 第四章 产业研究 第五章 项目方案分析 第六章 项目选址 第七
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耗尽型MOS管(N沟道)项目投资建议书(立项备案模板).docx
泓域咨询MACRO/耗尽型MOS 沟道)项目投资建议书耗尽型MOS 沟道)项目投资建议书 投资建议书参考模板，仅供参考 泓域咨询MACRO/ 耗尽型MOS 沟道)项目投资建议书摘要 该耗尽型MOS 沟
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耗尽型MOS管(P沟道)项目投资建议书(立项备案模板).docx
泓域咨询MACRO/耗尽型MOS 沟道)项目投资建议书耗尽型MOS 沟道)项目投资建议书 投资建议书参考模板，仅供参考 泓域咨询MACRO/ 耗尽型MOS 沟道)项目投资建议书摘要 该耗尽型MOS 沟
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耗尽型MOS管(N沟道)项目申请报告规划.docx
泓域咨询MACRO/耗尽型MOS 沟道)项目申请报告耗尽型MOS 沟道)项目申请报告 规划设计 投资分析泓域咨询MACRO/ 耗尽型MOS 沟道)项目申请报告耗尽型MOS 沟道)项目申请报告该耗尽型M
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