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部分耗尽型

84阅读 1顶 4页阿门达上传 举报/认领 合伙人(招募中) 展开

本文档由 阿门达 分享于2010-05-19 08:32

锗硅的形成使得SOIMOS器件源.沟道.漏横向双极晶体管电流增益降低,增强了空穴向源区的泄放作用,抑制了空穴积累,从而很好地抑制...
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耗尽型 soimos 空穴 电流增益 极晶体管 沟道
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