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现代器件工程之七---高K介质中科院微电子所 海潮和 常规SiO2栅漏电流会呈指数规律增大 多晶硅耗尽效应显著 硼穿透效应严重 常规的多晶硅栅电阻急剧增加 沟道杂质涨落显著• 7.1 特征尺寸减小带
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