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西安交通大学 微电子制造技术 第十六章 刻蚀.ppt
[工学]西安交通大学 微电子制造技术 第十六章 刻蚀微电子制造技术
第 16 章

刻 蚀
微电子制造技术 电信学院 微电子学系 1

概

述

刻蚀是将硅片表面上淀积的各种绝缘介质、 金属薄膜等按照掩膜版的图形结构选择性的去除 ，以便形成各种各样的器件结构和电路的互连。 刻蚀工艺是在显影检查完后进行，一旦膜层 材料被刻蚀去除，在刻蚀过程中所造成的缺陷将 无法弥补而使整个硅片报废。 刻蚀的要求取决于要制作的图形类型。如金 属层、多晶硅栅、隔离槽、通孔等。因为结构的 不同，所以具有大量不同刻蚀参数的材料。 特征尺寸的缩小使刻蚀工艺对尺寸的控制要 求更加严格，也更加难以检测。
微电子制造技术 电信学院 微电子学系 2

学 习 目 标
1. 了解9个主要的刻蚀参数； 2. 描述干法刻蚀的优点及基本原理； 3. 列举一个介质、硅、金属干法刻蚀的实际 例子； 4. 熟悉湿法刻蚀及其应用； 5. 了解刻蚀检查以及相关的重要的质量测量 方法。

微电子制造技术

电信学院 微电子学系 3

刻蚀原理 刻蚀是利用化学或者物理方法有选择地从硅 片表面去除不需要的材料的过程。刻蚀的基本目标 是在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形。因此，刻 蚀过程中光刻胶层起着有效保护下面的膜层不受浸 蚀的作用。图16.1是常规coms栅刻蚀工艺示意图。
光刻胶 被刻蚀材料 光刻胶 被保护层

(a) 有光刻胶图形的衬底
微电子制造技术

(b) 刻蚀后的衬底
figure 16.1

电信学院 微电子学系 4

刻蚀工艺 • 刻蚀工艺的类型
– 湿法刻蚀 – 干法刻蚀

• 需要刻蚀的三种主要材料 –硅 – 介质 – 金属
• 有图形的刻蚀和无图形的刻蚀

微电子制造技术

电信学院 微电子学系 5

刻蚀参数
为了将掩膜图形复制到硅片表
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