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第九章 金属化与多层互连 硅集成电路工艺基础教学课件.ppt
金属及金属性材料在集成电路技术中的应用被称为金属化。按其在集成电路中的功能划分，金属材料可分为三大类：MOSFET栅电极材料：早期nMOS集成电路工艺中使用较多的是铝栅，目前CMOS集成电路工艺技术中
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第六章 化学气相沉积 硅集成电路工艺基础教学课件.ppt
化学气相淀积(ChemicalVapor Deposition)，简称CVD，是把含有构成薄膜元素的气态反应剂或者液态反应剂的蒸气，以合理的流速引入反应室，在衬底表面发生化学反应并在衬底上淀积薄膜。是
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第三章 扩散 硅集成电路工艺基础教学课件.ppt
第三章扩散扩散是微观粒子(原子、分子等)运动的普遍的物理现象。扩散的动力是浓度的梯度，粒子从高浓度区向低浓度区进行热运动，使浓度分布趋于均匀。扩散是半导体掺杂的重要方法之一， 扩散方法首先由Pfann
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硅集成电路工艺基础要点整理.pdf
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第五章 物理气相沉积 硅集成电路工艺基础教学课件.ppt
5.0物理气相沉积5.1、真空蒸发法5.2、蒸发源5.3、气体辉光放电5.4、溅射5.0.1 物理气相沉积5.0.2 薄膜生长5.0.3 真空的获得5.0 物理气相沉积(Physical Vapor
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第七章 外延 硅集成电路工艺基础教学课件.ppt
外延：是指在单晶衬底(如硅片)上，按衬底晶向生长单晶薄膜的工艺过程。生长有外延层的硅片称为外延片。同质外延：生长的外延层和衬底是同一种材料。 异质外延：外延生长的薄膜与衬底材料不同，或者生长化学组分、
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第二章 氧化 硅集成电路工艺基础教学课件.ppt
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硅集成电路工艺基础8.pdf
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第六章化学气相沉积硅集成电路工艺基础教学课件.ppt
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第九章-金属化与多层互连--硅集成电路工艺基础教学课件.ppt
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