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集成电路制造技术--原理与工艺(7)化学气相淀积.ppt
7(ChemicalVapor Deposition)微电子工艺(6)—薄膜技术 (CVD)7.1 CVD概述 7.2 CVD工艺原理 7.3 CVD工艺方法 7.4 二氧化硅薄膜的淀积 7.5 氮化
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集成电路工艺之化学气相淀积CVD.pdf
集成电路工艺之化学气相淀积CVD
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原子层淀积高k介质mim电容性能研究.pdf
lIIIIUlY1969273摘要．．3ABSTRACT．．4第1章绪论．．61．1 MIM电容的研究意义．71．2 MIM电容的性能要求和发展趋势81．3高介电常数材料101．3．1介电常数理论．．
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原子层淀积二氧化钛叠层栅介质特性研究.pdf
原子层淀积二氧化钛叠层栅介质特性研究,二氧化钛,纳米二氧化钛,氧化钛,二氧化钛光催化,二氧化钛厂家,二氧化钛光催化原理,二氧化钛供应,食品级二氧化钛,二氧化钛的用途
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聚焦离子束FIB淀积Pt薄膜技术研究.pdf
复旦大学硕士学位论文聚焦离子束（FIB）淀积Pt薄膜技术研究姓名：刘立建申请学位级别：硕士专业：材料物理与化学指导教师：王家楫2001.5.29复旦大学学位论文论文题目：聚焦离子束（ＦＩＢ）淀积Ｐｔ薄
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微电子工艺基础-化学气相淀积(CVD).ppt
微电子工艺基础66微电子工业基础第第66章章化学气相淀积工艺 化学气相淀积工艺41、化学气相淀积的分类2、熟悉常见的化学气相淀积形成的绝缘材料3、Si3N4薄膜的作用和淀积机理4、多晶硅薄膜的作用和淀
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典型黑土淀积层分布及抗蚀性特征的研究.doc
东北林业大学硕士学位论文 典型黑土淀积层分布及抗蚀性特征的研究 姓名：陈敏 申请学位级别：硕士 专业：水土保持与荒漠化防治 指导教师：陈祥伟 201006 摘要 东北典型黑土区是我国重要的商品粮基地，
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薄膜淀积技术.pdf
FilmDepositionDeposition depositingfilms onto threecategories films:*POLY* CONDUCTORS* INSULATORS (D
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典型黑土淀积层分布及抗蚀性特征的研究.pdf
摘要摘要｛１吣Ｙ１１２１１ｌｍ０哪７吣１１１１０１１ｍｍ２２＿｜１１１１东北典型黑土区是我国重要的商品粮基地，以最适宜耕作而闻名于世。由于土壤中有机质含量高，土壤颗粒间团聚力强，使得典型黑土抗蚀性较强
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原子层淀积超薄tin和al2o3薄膜理论与基于硒纳米线的mos器件分析.pdf
原子层淀积超薄tin和al2o3薄膜理论与基于硒纳米线的mos器件分析
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