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半导体制造工艺.ppt
什么是掺杂扩散和离子注入是半导体掺杂的两种主要方式。 高温扩散：杂质原子通过气相源或掺杂过的氧化物扩散到硅片的表面，这些杂质浓度将从表面到体内单调下降，而杂质分布主要是由高温与扩散时间来决定。 形成深
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半导体制造工艺简介.ppt
2011-3-2312011-3-23 22011-3-23 32011-3-23 42011-3-23 52011-3-23 62011-3-23 72011-3-23 82011-3-23 920
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半导体制造工艺第4章氧化.ppt
化4.1引言4.2 二氧化硅膜的性质4.3 二氧化硅膜的用途4.4 热氧化原理4.5 氧化设备4.6 氧化膜的质量控制4.7 氧化工艺模拟4.1 引言二氧化硅(SiO2)是一种绝缘介质。它在半导体器件
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半导体制造工艺基础 施敏 第6章扩散.ppt
66概述 概述 扩散工艺 扩散工艺 扩散方程 扩散方程 扩散分布 扩散分布扩散工艺质量检测 扩散工艺质量检测 在在lC lC制造中主要采用 制造中主要采用扩散法 扩散法和和离子注入法 离子注入法。。
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半导体制造工艺中的光刻技术.ppt
半导体制造工艺中的光刻技术生产,光刻,制造,光刻工艺,半导体,光刻技术,制造工艺,半导体工艺
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半导体制造工艺11刻蚀ppt课件.ppt
半导体制造工艺基础第五章刻蚀原理1两大关键问题：选择性方向性：各向同性/各向异性21rrS 待刻材料的刻蚀速率掩膜或下层材料的刻蚀速率vertlatrrA 1横向刻蚀速率纵向刻蚀速率图形转移过程演示图
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半导体制造工艺_10离子注入(下).ppt
半导体制造工艺基础第七章离子注入(下)1上节课主要内容LSS理论？阻止能力的含义？离子注入的杂质分布？退火后？离子注入的主要特点？掩蔽膜的厚度？精确控制掺杂，浅结、浅掺杂，纯度高，低温，多种掩模，…非
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半导体制造工艺_09离子注入(上).ppt
半导体制造工艺基础第七章离子注入原理(上)1有关扩散方面的主要内容费克第二定律的运用和特殊解特征扩散长度的物理含义非本征扩散常用杂质的扩散特性及与点缺陷的相互作用常用扩散掺杂方法常用扩散掺杂层的质量测
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半导体制造工艺_08扩散(下)ppt课件.ppt
半导体制造工艺基础第六章扩散原理(下)上节课主要内容1、掺杂工艺普通分为哪两步？结深？薄层电阻？固溶度？2、两种特殊条件下的费克第二定律的解及其特点？特征分散长度？预淀积＋退火。预淀积：气固相预淀积分
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半导体制造工艺_07扩散(上)ppt课件.ppt
半导体制造工艺基础第六章扩散原理 (上)掺杂〔doping〕：将一定数量和一定种类的杂质掺入硅中，并获得准确的杂质分布外形〔doping profile〕。MOSFET：阱、栅、源/漏、沟道等BJT：
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