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第七章蚀刻技术

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本文档由 爱你一辈子 分享于2008-12-29 22:11

汲极矽将会被快速的蚀刻掉¸ 由於采用CF4, SF6等氟原子为主的电浆气体时,其选择比不 足,将对元件造成伤害,因此不适用於闸极复晶矽的蚀刻¸再 者,这些电浆气体在蚀刻复晶矽时较具等¸¸¸
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高等教育  —  大学课件
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第七章蚀刻技术 電子 向性 原子 速率 Etch 化物 氮化 解離 溶液
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蚀刻 光阻 氟酸 溶液 速率 基材
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