奈米范围之场效电晶体临界电压对掺杂质浓度变异的敏感...

本文档由 声东击西 分享于2011-02-24 22:04

关键字:临界电压,掺杂浓度,金氧半场效电晶体Ⅰ,研究背景与目的...至於PDSOI所计算出来的关系图与bulk相差不远,主要受限於此次专题所设计元件结构...
文档格式:
.pdf
文档大小:
47.79K
文档页数:
7
顶 /踩数:
1 0
收藏人数:
0
评论次数:
0
文档热度:
文档分类:
待分类
添加到豆单
系统标签:
电晶体 掺杂质浓度 临界电压 金氧半 元件 理想值
下载文档
收藏
打印

扫扫二维码,随身浏览文档

手机或平板扫扫即可继续访问

推荐豆丁书房APP  

获取二维码

分享文档

将文档分享至:
分享完整地址
文档地址: 复制
粘贴到BBS或博客
flash地址: 复制

支持嵌入FLASH地址的网站使用

html代码: 复制

默认尺寸450px*300px480px*400px650px*490px

支持嵌入HTML代码的网站使用

分享到