71
stt-mram信息存储机理仿真研究.pdf
分类号学号M201071983 学校代码 10487 密级 STT-MRAM信息存储机理 仿真研究 学位申请人: 学科专业:半导体芯片系统设计与工艺 指导教师: 教授答辩日期: 2013 Disser
1篇相似文档
11
STT-MRAM.docx
STT-MRAM将取代SRAM和DRAM,开始样品供货2013/01/29 00:00 STT-MRAM 是采用了名为自旋注入磁化反转(spin transfer torque:STT)数据擦写技术的
68
高性能STT-MRAM的可靠性问题及其电路级优化技术研究.pdf
分类号TP957 学号 14060012U 密级公开工学硕士学位论文高性能STT-MRAM的可靠性问题及其电路级优化技术研究硕士生姓名 唐皓月学科专业 微电子学与固体电子学研究方向 超大规模集成电路设
40
15 - Spin-transfer-torque magnetoresistive random access memory (STT-MRAM) technology.pdf
4552014 Elsevier Ltd 15 Spin- transfer- torque magnetoresistive random access memory (STT-MRAM) tech
47
多通道stt-mram存储单元结构以及电流驱动磁畴壁移动的微磁模拟的研究.pdf
IAbstract...........................................................................................
56
多通道STT-MRAM存储单元结构以及电流驱动磁畴壁移动的微磁模拟研究.pdf
M201271973学校代码10487 月18日AThesis Submitted PartialFulfillment EngineeringMicro-magneticSimulation Mul
54
多通道STT-MRAM存储单元结构以及电流驱动磁畴壁移动的微磁模拟研究.pdf
年解密后适用本授权书。不保密。(请在以上方框内打“”)学位论文作者签名:指导教师签名:日期: 文摘要近年来,随着人们对数据存储的要求越来越高,新型信息存储技术不断涌现。同时自旋电子学自从被提出以来,就
4
一种STT-MRAM存储单元.doc
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN104134456A (43)申请公布日 2014.11.05 (21)申请号 CN201410306563.3 (2
4
一种新型的STT-MRAM缓存设计方法.doc
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN103810118A (43)申请公布日 2014.05.21 (21)申请号 CN201410072210.1 (2
4
用于多核处理器的可调谐多层次STT-MRAM高速缓存.doc
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN104520838A (43)申请公布日 2015.04.15 (21)申请号 CN201380042021.3 (2

向豆丁求助:有没有stt mram?

如要投诉违规内容,请联系我们按需举报;如要提出意见建议,请到社区论坛发帖反馈。