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DDR2 3电源VDDQ、VTT、VREF等.doc
VTT其实跟VREF的电平是一样的，对DDR2来说就是0 9V，但是VREF消耗的电流很小，可以通过一个电阻网络从1 8V转出来；而VTT是端接用的，电流会比较大，能达到百毫安级，还是需要用单独的电源芯片生成。 VTT：端接电阻，Termination resister nbsp 对DDR SDRAM的控制管理 iMX23通过EMI控制器管理DDR，EMI控制器通过四个内部AHB AXI总线与DDR连接。EMI控制器包括两个部分：DDR控制器和延时补偿电路（DCC）。 EMI只支持两种扩展内存类型：1 8V的mDDR和标准2 5V DDR1。 对于iMX23的不同封装形式，其EMI支持的DRAM的容量也不同： 1、128 p
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MAX8550MAX8551集成了一个用于产生VDDQ的同步.pdf
MAX8550MAX8551集成了一个用于产生VDDQ的同步
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Chapter 143 - Dual DCDC controller for DDR power with differential VDDQ sensing and 50mA VTT reference.pdf
Chapter 143 - Dual DCDC controller for DDR power with differential VDDQ sensing and ±50mA VTT reference
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用于 ddr 电源的双通道 dcdc 控制器具有差分 vddq.pdf
用于 ddr 电源的双通道 dcdc 控制器具有差分 vddq
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CM3202-02 DDR VDDQ and VTT.pdf
CM3202-02 DDR VDDQ and VTT
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用于DDR电源的双通道DC//DC控制器具有差分VDDQ检测和50mAVTT基准.pdf
用于DDR电源的双通道DC／DC控制器具有差分VDDQ检测和±50mAVTT基准差分,基准,用于,DDR电源,VDDQ和,VTT基准,DDR,器具有,控制,VDDQ
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