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sti板薄抹灰外墙外保温系统.doc
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浅沟槽隔离STI刻蚀工艺条件研究对策.pdf
摘要浅沟隔离是目前大规模集成电路制造中用于器件隔离的主要方法。本文研究了O.18微米浅沟槽隔离技术(STI)中的刻蚀工艺。本文通过对各种工艺参数的选择,解决了浅沟槽隔离(STI)刻蚀深度,刻蚀角度以及
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HIV_AIDS_STI社区综合干预效果评价研究.pdf
1.世界银行贷款卫生九子项目HIV/AIDS/STI概况 12 2.公共卫生项目评估 14 3.综合性HIV/AIDS 干预及评估现状 22 4.研究背景及目的 16 材料与方法 1.资料收集方法 1
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基于仿真的STI与侧向能量因子的关系研究.pdf
基于仿真的STI与侧向能量因子的关系研究- II -音实验得分呈负相关的结论,验证了 LF STI的关系,并且通过 LF 值之间的对比,最终仍推荐使用LF80 参量。本论文研究了语音传输指数与侧向能量
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基于STI隔离片上铜线电感及其在滤波电路中应用.pdf
业:邀电王堂皇固佳电王堂研究方向:魁题电路皇墨佳指导教师:互艳验教援硕士研究生::工丝一一2011年5月完成,7、?^叫,,0一^h—I产.-0气)rsi哆/嬲煳必Code: 10269 .N毗er:
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基于3D-STI技术运用心肌综合指数评价蒽环类药物对乳癌患者的心肌毒性.pdf
基于3D-STI技术运用心肌综合指数评价蒽环类药物对乳癌患者的心肌毒性 Evaluation cardiotoxicityafter receiving anthracycline breastcan
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应用3D-STI监测乳癌术后蒽环类药物致左室扭转运动及心肌应变的改变.pdf
安徽医科大学Anhui Medical University 应用3D-STI监测乳癌术后蒽环类药物致左室扭转运动及心肌应变的改变 leftventricular torsion breastcanc
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硕士专业学位论文在全面质量指导下的STI半导体-南开大学商学院.pdf
中图分类号:学校代码: 10055 UDC: 密级: 公开 在全面质量指导下的STI半导体产品成本控制方法研究 Device Cost Control through Total Quality ST
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D-STI+CMP工艺在018微米逻辑芯片应用.pdf
Y952827梗旦大擎硕士学位论文(专业学位)学校代码:学号:D-STICMP工艺在0.18微米逻辑芯片的应用院 陈彦指导教师:汪荣昌 教授刘艳平博士完成日期: 2005年l1月12日摘 要化学机械抛
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基于BSIM3的05μm工艺CMOS器件建模及纳米级RF器件STI应力研究.pdf
基于BSIM3的0.5μm 工艺CMOS 器件建模 及纳米级RF 器件STI 应力的研究 微电子学与固电子学指导教师 副教授完成日期 2012 年12 杭州电子科技大学学位论文原创性声明和使用授权说明
  • bhm62 2014-04-05
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向豆丁求助:有没有sti?

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