下一代光刻技术面临难题

下一代光刻技术面临难题下一代光刻技术面临难题［趋势］沈建苗　　约2925字　　曾经看来大有希望的远紫外（EUV）光刻技术面临着重重困难，193纳米沉浸式技术似乎成为了必然的选择，但成本高昂，而且很难延伸到16纳米节点以下。半导体光刻工艺正面临着技术和成本...