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a-
IZO
基薄膜晶体管的制备与性能研究
.pdf
氧化物半导体薄膜晶体管(TFT)具有制备温度低、载流子迁移率高、在可见光波段全透明以及光致性能衰变小等诸多优点,可以克服应用在现有显示器技术中的Si基TFT 开口率小、光致性能退化、场效应迁移率低等问
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Effect of annealing temperature on the properties of
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annealingtemperature IZOfilms andIZO based transparent TFTsP. Barquinhaa,⁎, G. Gonalvesa, L. Pereira
tianyaruobi
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29
IZO
透明导电氧化物薄膜的研究
.ppt
报告内容。研 究 意 义 实 验 方 法 实 验 成 果 课 题 总 结。3 4。透明导电IZO薄膜。目前,透明导电二元氧化物 IZO薄膜 作为ITO的替代物,正得到越来越广泛 的关注。。透明导电IZO薄膜 与ITO相比:。组分可调:多重物理化学特性。。?。?。透明导电IZO薄膜。功函数高,用于OLED。4.7 eV。5.0 eV。IZO能够减小阳极空穴势垒,提高空穴注入效率。透明导电IZO薄膜。Han-Ki Kim,Surface & Coatings Technology 203 (2008) 652–656。IZO为阳极的OLED开启电压低,发光亮度高。报告内容。研 究 意 义 实 验 方 法 实 验 成 果 课 题 总 结。3 4。国际上关于IZO薄膜的研究。?脉冲激光沉积(PLD)。?化学气相沉积(CVD)。?喷雾热分解。全新的制备方法:脉冲等离子体沉积法(PPD)。高能电子束。瞬间烧蚀。粒子能量大 化学计量比一致。脉冲等离子体镀膜设备原理图。PPD的特点。制备方法 成分与靶材一致性 化学度纯 沉积速率可变性 靶材可变性。PPD PLD CVD Sputtering 好 好 好 好 好 好 差 差 好 差 差 很差 差 好 好 好。报告内容。研 究 意 义 实 验 方 法 实 验 成 果 课 题 总 结。3 4。IZO靶材的制备。按成分配比 In2O3:ZnO 将粉末混均匀。干压成形。大气氛围 温度:1000 ℃ 时间:10 h。IZO靶材的结构。强度 (arb. units.)。10 wt.% ZnO。JCPDS#0 In O。622。3。JCPDS# ZnO。20。30。40。50。60。70。2θ (degree)。成分比为国际上主流的三种IZO :富In,In-Zn相当,富Zn。PPD制备IZO薄膜(In2O3:ZnO=1:3
fenghaodong1998
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深紫外激光辐照对自燃烧法制备
IZO
薄膜光电性质的影响研究
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