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GAN点缺陷漏电黄带发光SIMS硕士论文.pdf
- GAN点缺陷漏电黄带发光SIMS硕士论文GaN 材料作为一种第三代半导体材料，具有宽禁带、高电子饱和漂移速度和
高击穿场强等优点，目前被广泛用于研制各种光电器件和高温、高频微波大功率
器件。器件级的 GaN材料大多数都是在异质衬底上用 MOCVD的方法外延得到的
由于衬底和 GaN 外延层之间存在较大的晶格失配和热失配，以及材料的生长方式
导致 GaN 外延层中存在很多的缺陷，这些缺陷主要包括高密度的位错和各种点缺
陷。高密度的缺陷会影响器件工作的方方面面，因此探究不同种类的缺陷对材料
和器件产生的不同影响，以及如何获得低缺陷密度的 GaN 材料是本领域的研究重
点。GaN 材料作为一种新型的半导体材料，人们对材料特性的研究仍然不够充分
与 GaN 材料相关的很多物理机理需要得到进一步的研究。
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Boeing 747-400 - Sims PMDG -Operating Manual.pdf
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The Sims 3 Late Night Official Game Guide.pdf
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向豆丁求助：有没有sims?
