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实验二、
PMOS
器件设计
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实验二、PMOS 器件设计 一、实验目的: 使用L-Edit 设计一个PMOS 器件。 二、实验要求: 1、进一步熟悉设计规则检查(DRC); 2、了解截面观察器; 3、初步了解例化 三、实验步骤:
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PMOS
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PMOS
辐照检测传感器的研究
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摘要摘要本论文主要对PMOS辐照检测传感器进行研究,以传感器灵敏度研究为轴线,讨论了PMOS辐照检测原理和两种能够明显改善传感器灵敏度的新方法——双介质栅结构和多管级联结构。论文首先对传统硅基单管PM
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一种高压
PMOS
驱动电路
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一种高压PMOS驱动电路一种高压PMOS驱动电路一种高压PMOS驱动电路
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碳化硅
PMOS
器件特性模拟及仿真
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两级运放NMOS与
PMOS
.doc
CMOS两级密勒补偿运算放大器的设计 一、NMOS 电路分析 NMOS 电路结构 现采用最基本的 CMOS 两级密勒补偿运算跨导放大器,其结构如图 所示。其组成部分:第一级输入级放大器、第二级放大电路
zhang110800812
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功率管开关电路设计
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PMOS开关管电路设计指南V1.0PMOS开关管电路设计指南 2013/7/18本文档的目的 1)能够根据本指南进行PMOS管开关电路设计更新说明序号 修改项 修改理由 修改人 修改日期1 2013/
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pMOS
金属栅极材料的研究进展
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物理39 期 http:ΠΠwww. wuli. ac. cn前沿进展pMOS 金属栅极材料的研究进展3杨智超 黄安平 肖志松(北京航空航天大学物理系 北京 10019
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材料的合成研究
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PMOS
Low-Dropout Voltage Regulators slva068
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