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MOSFET教程
MOSFET教程
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碳化硅MOSFET应用技术研究.pdf
分类号：TM461 论文编号：1028703 13-S131 学科分类号：080804 硕士学位论文 碳化硅MOSFET 应用技术研究 研究生姓名 学科、专业电力电子与电力传动 胡海兵副教授 南京航空
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大功率MOSFET感应加热电源的数字化研究.pdf
本文以感应加热电源为研究对象，阐述了感应加热电源的基本原理及其发展趋势。对感应加热电源常用的谐振回路和拓扑结构进行了分析，选择了更适合高频感应加热电源的串联谐振型逆变器；分析了各种功率调节的方式，选择了有利于提高逆变频率和功率的直流侧斩波调功的调功方式；分析了MOSFET的特性，选择了对逆变电路一致性要求相对较低的变压器功率合成方式。感应加热电源运行时需要对谐振频率进行跟踪，传统的频率跟踪电路大都采用基于CD4046的模拟锁相环，但传统模拟锁相环存在着频率跟踪范围较窄、动态响应较慢、可靠性差、死区时间需要用辅助电路实现等一些缺点。
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基于CMOS工艺的高压MOSFET研究.pdf
目：基于ＣＭＯＳ工艺的高压ＭＯＳＦＥＴ研究研究生：李红征导师：于宗光教授专 微电子学与固体电子学随着集成电路制造工艺水平的提升，系统集成度越来越高，智能功率集成电路得到了日益广泛的应用，功率集成电路将
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高压大电流碳化硅mosfet串并联模块.pdf
论文作者指导教师 论文评阅人１： 评阅人２： 评阅人３： 评阅人４： 评阅人５： 答辩委员会主席： 委员１： 委员２： 委员３： 委员４： 委员５： 签名：粕呓巧、／ 砷ｒｊ、弓Ｊ答辩日期：幽斤，：；
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MOSFET器件 回顾与展望 (MOSFET History & Perspective).ppt
中国科学院上海微系统与信息技术研究所中芯国际集成电路(上海)有限公司系统芯片研发中心内容微电子技术成就 MOSFET器件发展历程 典型CMOS工艺流程模块 典型CMOS制作工艺流程 MOSFET器件面
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2功率MOSFET特性参数的理解.pdf
45请不要随意向他人提供此资料NECEC NECEC- -MR MR- -SB SB- -T0002 T000220020099NECNECPMDPMD功率MOS场效应晶体管技术讲座MOSFET2/
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功率MOS管应用笔记(Power_MOSFET_APPLICATION_NOTE).pdf
ourcustomers, Old Company Name OtherDocuments April1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged Ren
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MOSFET以及电力转换电路.pdf
MOSFET以及电力转换电路MOSFET以及电力转换电路MOSFET以及电力转换电路
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MOSFET器件企业国际化发展战略研究报告.pdf
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自对准沟槽MOSFET的结构和方法.pdf
自对准沟槽MOSFET的结构和方法自对准沟槽MOSFET的结构和方法自对准沟槽MOSFET的结构和方法
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