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聚焦离子束诱发金属有机化学气相淀积碳-铂薄膜 focused ion beam induced metalorganic chemical vapor deposition of c-pt thin film.pdf
报Vol.25No.112OO4年11月CHINESEJURNALFSEMICNDUCRSNov= ==================================================
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脉冲激光淀积法在Pt_TiO_2_SiO__省略__Ti_0_50_O_3薄膜的.docx
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PECVD淀积氮化硅薄膜性质研究.pdf
　　收稿日期:2002211221　　基金项目: 国家自然科学基金项目(59976035) ;国家自然科学基金重大项目(50032010)文章编号: 025420096 (2004) 03203412
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【二氧化硅】LPCVD淀积LTO工艺研究.pdf
1期20 10 CHENGDIANL TONGX UN Voi ．28 o．1Mar．20 10 LPCVD 中国兵器工业第214研究所 蚌埠233042) 摘要集成电路集成度的提高，特别是等 离子刻
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基于TEOS-O2-N2淀积SiO2工艺研究.pdf
电子工艺技术ElectronicsProcess Technology2012年9月 262 第33卷第5期基于TEOS-O2-N2淀积SiO2工艺研究 扬州国宇电子有限公司，江苏扬州 225009，
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原子层淀积制备Al2O3薄膜及其特性研究.pdf
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原子层淀积Nb2O5薄膜的光学特性表征.pdf
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PECVD氮化硅薄膜的淀积与刻蚀.pdf
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钨化学气相淀积工艺方块电阻均匀性的研究.docx
工艺中国集成电路 CIC Chi na ntegrated Cir cul （上海华虹宏力半导体制造有限公司，上海，201203）摘要：钨化学气相淀积因为其在接触孔 通孔填充中出色的台阶覆盖能力而在半
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