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半导体制造技术(集成电路工艺)11_impl.pdf
第十一章扩散和离子注入扩散和离子注入微固学院 言掺杂原因:本征硅导电能力很差 本征硅导电能力很差。在硅中加入一定数量和种类的杂质,改变其电学性质,并使掺入的杂质数量和分布情况都 掺入的杂质数量和分布情
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第三章 mems制造技术-1(半导体工艺)ppt课件.ppt
MEMS主要内容掺杂技术、退火技术表面薄膜制造技术光刻技术金属化技术刻蚀技术净化与清洗接触与互连键合、装配和封装集成电路制造过程一、掺杂与退火掺杂定义:就是用人为的方法,将所需的杂质(如磷、硼等),以

向豆丁求助:有没有半导体制造技术中文?