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半导体制造技术(集成电路工艺)3_IC_process_intro.pdf
第三章集成电路制造工艺概况集成电路制造工艺概况微固学院 言集成的晶集成的晶体管数量近20亿设计芯片工艺2计 言本章主要内容：本章主要内容： CMOS工艺流程 工艺流程 CMOS制作步骤本章知识要点：
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半导体制造技术(集成电路工艺)2_wafer.pdf
第二章硅和硅片的制备硅和硅片的制备微固学院 言本章主要内容：本章主要内容： 单晶硅的生长方法 单晶硅的生长方法 硅片制备的基本步骤本章知识要点： 掌握硅片制备的过程； 了解单晶硅的生长方法； 了解硅片
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半导体制造技术(集成电路工艺)4_oxide.pdf
言主流半导体集成电路为硅集成电路硅容易形成氧化层－二氧化硅； 硅容易形成氧化层 二氧化硅； 硅具有相对高的熔点温度； 硅极易获取，价格便宜。24 言本章主要内容：本章主要内容： 氧化膜的性质及其生长氧
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半导体制造技术期末题库参考答案.pdf
1．分别简述RVD和GILD 的原理，它们的优缺点及应用方向。答：快速气相掺杂(RVD, Rapid Vapor-phase Doping)是一种掺杂剂从气相直接向硅中扩散、并能形成超浅结的快速掺杂工
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michaelquirk半导体制造技术附录图解读ppt课件.ppt
1SemiconductorManufacturing TechnologyMichael Quirk JulianSerda October2001 PrenticeHallAppendix ACh
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美国知名大学半导体制造技术讲义CH04.pdf
HongXiao, Ph. D. .tx.us/HongXiao/Book.htm 1Chapter 4Wafer Manufacturingand Epitaxy Gro
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半导体制造技术(集成电路工艺)6_metal.pdf
第六章第六章微固学院 言本章主要内容：本章主要内容： 金属的性质及其应用 溅射的物理过程及其应用 双大马士革法工艺 双大马士革法工艺本章知识要点：掌握Al和Cu金属的性质与用途； 掌握溅射的物理机理；
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《半导体制造技术-韩郑生》第三章 离子注入与快速热处理.pdf
3.1离子注入主要内容3.1.1 离子注入系统及工艺3.1.2 离子注入系统主要参数3.1.3 离子注入常见问题3.1.4 离子注入常见工艺应用3.1.1 离子注入系统及工艺离子注入提供了一种非常精确
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半导体制造技术.ppt
蝕刻DELIN INSTITUTE TECHNOLOGYwww.dlit.edu.tw2005DLIT, All rights reserved授課老師：王宣勝2www.d
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半导体制造技术.ppt
DELIN INSTITUTE TECHNOLOGYwww.dlit.edu.tw 2005 DLIT, All rights reserved www.dlit.edu.
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