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半导体制造技术(集成电路工艺)总复习.pdf
d1xcdeng@课程总体介绍课程总体介绍一、课程性质和任务： 一、课程性质和任务： “集成电路工艺原理”课程是电子科学与 “集成电路工艺原理”课程是电子科学与技术专业（集成电
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集成电路工艺之化学气相淀积CVD.pdf
集成电路工艺之化学气相淀积CVD
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半导体制造技术(集成电路工艺)3_IC_process_intro.pdf
第三章集成电路制造工艺概况集成电路制造工艺概况微固学院 言集成的晶集成的晶体管数量近20亿设计芯片工艺2计 言本章主要内容：本章主要内容： CMOS工艺流程 工艺流程 CMOS制作步骤本章知识要点：
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半导体制造技术(集成电路工艺)5_depo.pdf
第五章淀积－表面薄膜的形成 表面薄膜的形成微固学院 分类绝缘薄膜导电薄膜 导电薄膜作用 作用作为器件和电路的一部分 工艺中的牺牲层 工艺中的牺牲层内容安排 内容安排 SiO2，Si3N4，多晶硅等（教
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半导体制造技术(集成电路工艺)2_wafer.pdf
第二章硅和硅片的制备硅和硅片的制备微固学院 言本章主要内容：本章主要内容： 单晶硅的生长方法 单晶硅的生长方法 硅片制备的基本步骤本章知识要点： 掌握硅片制备的过程； 了解单晶硅的生长方法； 了解硅片
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半导体制造技术(集成电路工艺)4_oxide.pdf
言主流半导体集成电路为硅集成电路硅容易形成氧化层－二氧化硅； 硅容易形成氧化层 二氧化硅； 硅具有相对高的熔点温度； 硅极易获取，价格便宜。24 言本章主要内容：本章主要内容： 氧化膜的性质及其生长氧
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高K金属栅 集成电路工艺课件.pdf
现代器件工程之七---高K介质中科院微电子所 海潮和 常规SiO2栅漏电流会呈指数规律增大 多晶硅耗尽效应显著 硼穿透效应严重 常规的多晶硅栅电阻急剧增加 沟道杂质涨落显著• 7.1 特征尺寸减小带
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半导体制造技术(集成电路工艺)6_metal.pdf
第六章第六章微固学院 言本章主要内容：本章主要内容： 金属的性质及其应用 溅射的物理过程及其应用 双大马士革法工艺 双大马士革法工艺本章知识要点：掌握Al和Cu金属的性质与用途； 掌握溅射的物理机理；
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集成电路工艺中Power+MOS+失效模式及改善方法研究.pdf
集成电路工艺中PowerMOS 失效模式及改善方法研究 Failure Analysis PowerMOS 学科专业：集成电路工程 指导教师：马建国教授 企业导师：杨林宏 经理 天津大学电子信息工程学
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半导体制造技术(集成电路工艺)12_cmp.pdf
第十二章微固学院邓小川1xc eng ues c.e u.cn. 平坦化工艺CMP工艺的原理及应用本章知识要点： 掌握平坦化工艺的目的和应用； 掌握CMP工艺的原理及其应用；2. Oxide氮化硅顶层
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