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第六章物理气相淀积.ppt
1第六章第六章 物理气相淀积 物理气相淀积2基本上，集成电路是由数层材质不同的薄膜 基本上，集成电路是由数层材质不同的薄膜组成，而使这些薄膜覆盖在硅晶片上的技术， 组成，而使这些薄膜覆盖在硅晶片上的技
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半导体制造技术11-淀积.ppt
半导体制造技术第十一章淀积本章概要 概述 化学气相淀积 介质及其性能 外延11.1 概述引言薄膜淀积是芯片加工过程中一个至关重要的工艺步骤，通过淀积工艺可以在硅片上生长各种导电薄膜层和绝缘薄膜层。各种
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372065101集成电路工艺原理第七章薄膜淀积原理2012-05-161.pdf
372.065.1.01集成电路工艺原理第七章 薄膜淀积原理 2012-05-161上节课主要内容什么是离子注入损伤？退火的目的是什么？什么是产生大量空位－间隙对，直至非晶化。恢复晶格，激活杂质，恢复
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纳米多晶Si薄膜的热壁LPCVD淀积与结构特性研究.pdf
孥ＩＴＹ硕士学位论文ＭＡ．ＤＩＳＳＥＲＴＡＴｌＯＮ纳米多晶Ｓｉ薄膜的热壁ＬＰＣＶＤ淀积与结构特性研究学位申请人：指导教师：学位类别：学科专业：授予单位：答辩日期：马蕾彭英才教授工学硕士微电子学与固体电
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薄膜淀积工艺(下).ppt
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14薄膜淀积半导体器件物理公开课一等奖课件名师优质课获奖课件.pptx
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第06章化学气相淀积.ppt
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最新微细加工12物理淀积PPT课件.ppt
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第6章CVD化学气相淀积PPT精品文档课件.ppt
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ald淀积高k栅介质材料与器件特性的研究.pdf
作者简介匡潜玮，湖南衡阳人。2005 年毕业于西安理工大学电子科学与技术专业，获学士学位。2005 年至今就读于西安电子科技大学微电子学院,攻读博士学位。导师：刘红侠教授。 主要研究方向：高k 栅介质
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