AlGaN/GaN+HEMT器件的辐照效应研究

Ⅲ族氮化物材料是制造高压、高温、高频(RF)电子器件的理想材料，对其 研究成为了国内外广泛关注的焦点。由于综合性能优势，氮化镓(GaN)基高电子 迁移率晶体管(HEMT)等器件成为航天等领域应用的重要选择。对于空间辐射环 境的影响及长时间高偏置工作给器件带来的可靠性问题，是目前国内外尚未深入 开展的基础研究工作。本论文针对新型GaN基HEMT器件的辐射损伤效应和高场 退化效应作为研究内容，开展了实验和理论两方面系统深入的研究。 实验方面，本论文针对GaN基HEMT器件，首次采用多种辐射源(包括60Co γ射线、高能电子、中子和质子)系统地利用各种表征技术研究了材料和器件的辐 射损伤效应，得到了AlGaN/GaN HEMT的主要辐射损伤机制。在理论上，创新地 建立了针对GaN基HEM..