C、N元素对FeMnSi合金层错几率的影响和微结构的HREM表征（论文）

Fe-Mn-Si 基形状记忆合金由于其低廉的价格和良好的加工性能，具有广阔的应用前景，近年来一直是形状记忆合金研究的热点。其形状记忆效应主要依靠fcc→hcp的马氏体相变及逆相变来实现，研究表明该马氏体相变通过奥氏体母相中的层错形核、并增值长大，因此Fe-Mn-Si 合金形状记忆效应的改善主要围绕马氏体相变及其逆相变来开展，如热弹性马氏体的获得，改变热处理工艺引入所谓的‘热机械训练’，添加合金元素等。C、N 间隙元素的添加对于层错几率和形状记忆效应的影响已有许多学者从理论和实验上进行了研究，但是并没有定论。为了进一步研究C、N 元素的作用机理，以及层错几率和形状记忆效应之间的关系，本文通过XRD 峰宽化、峰位移法以及电子衍射斑点位移法对Fe-Mn-Si 合金中的层错几率进行了测定，分析了C、N 元素对层错几率..