电子物理学系
本文档由 天上星 分享于2009-01-08 00:20
半导体雷射;元件制程;错位缺陷;横向磊晶层;双异质接面结构;单层量子井结构 在第二年氮化镓半导体雷射¸¸¸单电子穿隧效应: 主要希望能澄清不同的扰动效应下对於电子元件表面单电子穿隧的影响¸实验上,利用STM观察磊晶超导¸¸¸
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