退火温度对溅射Al膜微结构及应力的影响

【摘 　 要】 　 用直流溅射法在 Si 基片上制备了250nm厚的Al 膜 ,并在不同退火温度下进行退火处理 ,用 X射线衍射和光学干涉相位移法对薄膜的微结构及应力随退火温度的变化进行了研究。结构分析表明:退火后的 Al膜均呈多晶状态 ,晶体结构仍为面心立方;随着退火温度由20℃升高到 400℃,薄膜的平均晶粒尺寸由 2218nm增加到2511nm;薄膜晶格常数在不同退火温度下均比标准值 410496Ü A 稍小。应力分析表明:随退火温度的升高,Al膜应力减小,300℃ 时平均应力减小为221730× 108Pa且分布均匀;在400℃ 时选区范围内应力差仅为31828× 108Pa。