ZnO透明薄膜的制备及特性研究

近年来，氧化锌(ZnO)成为继氮化镓(GaN)之后光电领域内的又～个热门研究课题。ZnO是一种宽禁带(室温下禁带宽度为3．37 eV)半导体材料，具有良好的透明导电性、压电性、光电性等特性。由于这些优异的性质，使ZnO具有广泛的用途，如制备表面声波器件、紫外光探测器、压电器件、紫外发光器件、气敏传感器等。除此之外ZnO材料的另一个重要的应用就是制备透明导电薄膜。人们主要是利用磁控溅射和金属有机化学气相沉积方法制备透明导电薄膜，取得了一定的研究成果。但是由于溅射和MOCVD生长系统设备比较复杂，价格也很昂贵，所以制备的薄膜成本较高。为了实现未来的商业化应用，有必要了开发一种工艺简单、成本低廉的ZnO透明导电薄膜的方法。