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政院国家科学委员会补助专题研究计画

63阅读 35页越狱第四季上传 举报/认领 合伙人(招募中) 展开

本文档由 越狱第四季 分享于2009-07-23 18:50

使其 接於高电压MOSFET的汲极与闸极之间,整个 MOSFET-TVS元件的结构如图(3-10)所示[14][15][16]. 而元件的工作原 是当汲极接受的突波电压过高使得二极体 达到崩溃,...
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LDMOSFET diode TVS 元件 drain layout Voltage string gate METAL
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tvs 元件 ldmosfet 汲极 研究 diode
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